什么是真空鍍膜設(shè)備？

真空鍍膜設(shè)備主要指一類需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。

需要鍍膜的被成為基片，鍍的材料被成為靶材?；c靶材同在真空腔中。

蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來，并且沉降在基片表面，通過成膜過程（散點(diǎn)－島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長）形成薄膜。對(duì)于濺射類鍍膜，可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來，并且最終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過蒸發(fā)鍍膜設(shè)備+所鍍產(chǎn)品圖蒸發(fā)鍍膜設(shè)備+所鍍產(chǎn)品圖程，最終形成薄膜。

真空鍍膜設(shè)備使用步驟

1電控柜的操作

1)開水泵、氣源

2)開總電源

3)開維持泵、真空計(jì)電源，真空計(jì)檔位置V1位置，等待其值小于10后，再進(jìn)入下一步操作。約需5分鐘。

4)開機(jī)械泵、予抽，開渦輪分子泵電源、啟動(dòng)，真空計(jì)開關(guān)換到V2位置，抽到小于2為止，約需20分鐘。

5)觀察渦輪分子泵讀數(shù)到達(dá)250以后，關(guān)予抽，開前機(jī)和高閥繼續(xù)抽真空，抽真空到達(dá)一定程度后才能開右邊的高真空表頭，觀察真空度。真空到達(dá)2×10-3以后才能開電子槍電源。

2DEF-6B電子槍電源柜的操作

1)打開總電源

2)同時(shí)開電子槍控制Ⅰ和電子槍控制Ⅱ電源：按電子槍控制Ⅰ電源、延時(shí)開關(guān)，延時(shí)、電源及保護(hù)燈亮，三分鐘后延時(shí)及保護(hù)燈滅，若后門未關(guān)好或水流繼電器有故障，保護(hù)燈會(huì)常亮。

3)開高壓，高壓會(huì)達(dá)到10KV以上，調(diào)節(jié)束流可到200mA左右，簾柵為20V/100mA，燈絲電流1.2A，偏轉(zhuǎn)電流在1~1.7之間擺動(dòng)。

3關(guān)機(jī)順序

1)關(guān)高真空表頭、關(guān)分子泵。

2)待分子泵顯示到50時(shí)，依次關(guān)高閥、前級(jí)、機(jī)械泵，這期間約需40分鐘。

3)到50以下時(shí)，再關(guān)維持泵。